Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

μέρους: 6969

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

μέρους: 7016

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

μέρους: 6976

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

μέρους: 6938

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

μέρους: 6937

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

μέρους: 6975

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

μέρους: 6952

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

μέρους: 7006

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

μέρους: 6949

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA949-Y(JVC1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

μέρους: 6969

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1972,T6WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

μέρους: 5673

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 400V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1972,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

μέρους: 6973

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 400V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,SINFQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

μέρους: 7026

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

μέρους: 6986

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

μέρους: 6951

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,NSEIKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

μέρους: 6948

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,NETQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

μέρους: 6957

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,NETQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

μέρους: 6946

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,BOSCHQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

μέρους: 6957

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931,KEHINQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

μέρους: 6765

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1931(NOMARK,A,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

μέρους: 6941

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1930,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

μέρους: 7022

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1930,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

μέρους: 6775

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1930,CKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

μέρους: 6939

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1930,LBS2DIAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

μέρους: 7019

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1930(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

μέρους: 6989

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1930(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

μέρους: 6940

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1869-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

μέρους: 7005

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1869-Y,MTSAQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

μέρους: 6727

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1869-Y(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

μέρους: 7004

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1869-Y(JKT,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

μέρους: 6990

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1837,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

μέρους: 6947

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1837,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

μέρους: 6752

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1837,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

μέρους: 6966

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

μέρους: 6942

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

μέρους: 6984

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών