Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 11

2SA1943N(S1,E,S)

μέρους: 30936

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

μέρους: 133517

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

μέρους: 125949

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

μέρους: 103394

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

μέρους: 72

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

μέρους: 154

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

μέρους: 155

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

μέρους: 105735

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

μέρους: 114972

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

μέρους: 141073

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

μέρους: 182069

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

μέρους: 110660

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 25V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

μέρους: 194721

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

μέρους: 146528

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

μέρους: 123

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

μέρους: 160315

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

μέρους: 107

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

μέρους: 100369

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

μέρους: 179590

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 300mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

μέρους: 124685

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

μέρους: 122917

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

μέρους: 134403

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

μέρους: 189199

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

μέρους: 172547

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

μέρους: 135662

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

μέρους: 106998

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

μέρους: 515

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

μέρους: 22703

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

μέρους: 22767

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

μέρους: 30915

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

μέρους: 7061

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 300V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

μέρους: 7009

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

μέρους: 7019

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

μέρους: 7049

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

μέρους: 7066

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

μέρους: 6988

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Λίστα επιθυμιών