Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

μέρους: 117530

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.6ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

μέρους: 116

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

μέρους: 131

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

μέρους: 111

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

μέρους: 161

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

μέρους: 176168

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

μέρους: 156192

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 50mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

μέρους: 201

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

μέρους: 122602

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 300mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

μέρους: 2303

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

μέρους: 1533

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 50mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

μέρους: 154898

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 10V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

μέρους: 152629

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

μέρους: 136052

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

μέρους: 175794

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 60ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

μέρους: 1558

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 60ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

μέρους: 146552

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

μέρους: 180671

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 50mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

μέρους: 113319

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

μέρους: 108515

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 620mV @ 50mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

μέρους: 21577

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 620mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

μέρους: 106441

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 50mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

μέρους: 119305

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 10V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

μέρους: 129010

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 10V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

μέρους: 138564

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.6ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

μέρους: 174948

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 300mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

μέρους: 106991

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

μέρους: 126326

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

μέρους: 172900

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 60ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

μέρους: 154455

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

μέρους: 8357

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

μέρους: 8339

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

μέρους: 8339

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

μέρους: 6216

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

μέρους: 176414

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

μέρους: 162705

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

207

«
1
2
3
4
5
6
»