Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

μέρους: 5232

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

μέρους: 6608

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

μέρους: 5272

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

μέρους: 5238

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

μέρους: 5233

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 8A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 450V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

μέρους: 5083

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

μέρους: 184025

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

μέρους: 129870

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

μέρους: 105477

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

μέρους: 145497

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-GR,LF

μέρους: 132736

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

μέρους: 156237

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

μέρους: 105262

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

μέρους: 114013

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 300mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

μέρους: 141692

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

μέρους: 150771

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

μέρους: 149461

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 300mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

μέρους: 100270

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 300V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

μέρους: 118674

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 300mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

μέρους: 171156

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

μέρους: 4810

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

μέρους: 104340

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

μέρους: 27295

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 18A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

μέρους: 27908

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 18A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

μέρους: 96245

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 375V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

μέρους: 124

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

μέρους: 192103

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

μέρους: 118518

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 285V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

μέρους: 174487

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 30nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

μέρους: 186338

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

μέρους: 25341

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

μέρους: 25369

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

μέρους: 146507

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

μέρους: 7058

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

μέρους: 7067

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

μέρους: 142061

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 30nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών