Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 6

RN2607(TE85L,F)

μέρους: 114

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1507(TE85L,F)

μέρους: 173834

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT

μέρους: 146118

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4608(TE85L,F)

μέρους: 136

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

μέρους: 158

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4604(TE85L,F)

μέρους: 154

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909FE(TE85L,F)

μέρους: 90

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962TE85LF

μέρους: 121

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4983,LF(CT

μέρους: 153425

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902,LF(CT

μέρους: 158672

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2964(TE85L,F)

μέρους: 160

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2961(TE85L,F)

μέρους: 145

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901FE(TE85L,F)

μέρους: 169

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1609(TE85L,F)

μέρους: 147

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2507(TE85L,F)

μέρους: 152

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1903,LF(CT

μέρους: 100046

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1508(TE85L,F)

μέρους: 80

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1904,LF(CT

μέρους: 161530

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2704JE(TE85L,F)

μέρους: 106

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2504(TE85L,F)

μέρους: 117

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2503(TE85L,F)

μέρους: 155

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2606(TE85L,F)

μέρους: 132

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4987,LF(CT

μέρους: 131504

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN49A2,LF(CT

μέρους: 119081

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2710JE(TE85L,F)

μέρους: 107

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906,LF(CT

μέρους: 102425

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4601(TE85L,F)

μέρους: 119

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4984,LF(CT

μέρους: 182689

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2705JE(TE85L,F)

μέρους: 149

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2962(TE85L,F)

μέρους: 154

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904,LF(CT

μέρους: 137101

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910,LF(CT

μέρους: 139248

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4985,LF(CT

μέρους: 181640

Τύπος τρανζίστορ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1705JE(TE85L,F)

μέρους: 82

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF(CT

μέρους: 141738

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2701JE(TE85L,F)

μέρους: 102

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών