Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 11

2SA1930(Q,M)

μέρους: 150987

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

μέρους: 6584

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 10A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

μέρους: 6565

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

μέρους: 6708

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

μέρους: 6350

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

μέρους: 6392

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

μέρους: 6324

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

μέρους: 6336

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

μέρους: 6349

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

μέρους: 6343

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

μέρους: 140733

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

μέρους: 142540

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 25V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

μέρους: 116579

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

μέρους: 147650

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

μέρους: 193749

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

μέρους: 5659

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

μέρους: 163735

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

μέρους: 22720

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 15A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

μέρους: 96385

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

μέρους: 166553

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

μέρους: 198197

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

μέρους: 109658

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

μέρους: 189229

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

μέρους: 5292

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

μέρους: 6617

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

μέρους: 123818

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 400mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

μέρους: 148939

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 400mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

μέρους: 5308

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 400V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

μέρους: 5238

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 400V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

μέρους: 5234

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 300V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

μέρους: 5270

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

μέρους: 5274

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

μέρους: 5285

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

μέρους: 5224

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

μέρους: 5266

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

μέρους: 5302

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών