Δίοδοι - Zener - | Διακριτά π& | 1

CRZ13(TE85L,Q,M)

μέρους: 99

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 13V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 9V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

μέρους: 140

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 20V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 14V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

μέρους: 137

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 36V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 28.8V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

μέρους: 176

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Ανοχή: ±9.68%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 3V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

μέρους: 141

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 16V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 11V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

μέρους: 172

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 30V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 21V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

μέρους: 86

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 24V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 17V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

μέρους: 127

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 22V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 16V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

μέρους: 153

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 10V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 6V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

μέρους: 98

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 11V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 7V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

μέρους: 114

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 27V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 19V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

μέρους: 118

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 18V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 13V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

μέρους: 89

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 12V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 8V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

μέρους: 142

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 47V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 65 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 37.6V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

μέρους: 173943

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 15V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 10V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

μέρους: 170

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 43V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 40 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 34.4V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

μέρους: 150

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 39V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 35 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 31.2V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

μέρους: 8202

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 10V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 6V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

μέρους: 3906

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 22V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 16V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

μέρους: 8171

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 47V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 65 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 37.6V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

μέρους: 8174

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 30V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 21V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

μέρους: 5464

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 33V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 26.4V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

μέρους: 8245

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 12V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 8V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

μέρους: 8173

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 11V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 7V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

μέρους: 152718

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 60 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 3V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

μέρους: 127852

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 4.9V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

μέρους: 138193

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 4.5V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

μέρους: 5349

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 5.5V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

μέρους: 5364

Τάση - Zener (Nom) (Vz): 18V, Ανοχή: ±10%, Ισχύς - Μέγ: 700mW, Αντίσταση (Max) (Zzt): 30 Ohms, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 13V, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA,

Λίστα επιθυμιών