Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

μέρους: 141424

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 340mV @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

μέρους: 175222

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 230mV @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

μέρους: 21594

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 10V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10mA (DC), Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

μέρους: 122854

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

μέρους: 159042

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

μέρους: 172576

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 400mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CMF05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

μέρους: 158502

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.7V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

μέρους: 114342

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 340mV @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

μέρους: 155708

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

CMS11(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

μέρους: 159752

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

μέρους: 139868

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 350mV @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

μέρους: 11358

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 6A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

CMS03(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

μέρους: 144392

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CMS06(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

μέρους: 184133

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CRS09(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

μέρους: 139204

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CRH01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

μέρους: 121678

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

CRS08(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

μέρους: 183971

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CRS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

μέρους: 104302

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CMS04(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

μέρους: 164330

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

μέρους: 112076

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

μέρους: 193256

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 800mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 220mV @ 10mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

μέρους: 8420

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

μέρους: 4875

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 670mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

μέρους: 181235

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 280mV @ 10mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

μέρους: 4923

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

μέρους: 151245

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

μέρους: 8357

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

207

«
1
2
3
4
5
6
»