Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 6

CMS17(TE12L,Q,M)

μέρους: 117

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 480mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

μέρους: 100

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

μέρους: 88

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

μέρους: 166057

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 490mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

μέρους: 177271

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

μέρους: 79

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 400mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

μέρους: 163

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

μέρους: 194437

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

μέρους: 185173

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

μέρους: 157727

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 700mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2V @ 700mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

μέρους: 160805

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

μέρους: 142

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

μέρους: 160837

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

μέρους: 187277

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

μέρους: 192

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

μέρους: 104522

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

μέρους: 152

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

μέρους: 178640

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

μέρους: 160204

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

μέρους: 5730

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

μέρους: 236

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 700mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

μέρους: 113027

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

μέρους: 200

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 390mV @ 700mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

μέρους: 182845

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

μέρους: 177

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

μέρους: 158

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

μέρους: 162

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

μέρους: 175

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 700mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 700mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

μέρους: 154

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 700mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

μέρους: 159

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

μέρους: 168712

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

μέρους: 153282

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

μέρους: 171

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

μέρους: 187

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 490mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

μέρους: 184

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

μέρους: 172

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών