Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

μέρους: 1645

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

DSR01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

μέρους: 131336

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 620mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

μέρους: 1424

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 0.47V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

DSF01S30SC(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

μέρους: 1267

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

CLS01(T6LSONY,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

μέρους: 1440

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 0.47V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

μέρους: 1359

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 0.98V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

μέρους: 1368

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A (DC), Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

μέρους: 1091

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

DSF07S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

μέρους: 1170

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 700mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 700mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

DSF05S30U(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

μέρους: 1121

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

U1GWJ49(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

μέρους: 852

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CRS04(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

μέρους: 101221

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 510mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CUS02(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

μέρους: 779

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 470mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CRS06(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

μέρους: 186793

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

μέρους: 9971

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

μέρους: 186045

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CRS11(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

μέρους: 161979

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

μέρους: 122216

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 215mA, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

μέρους: 168808

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 470mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CUS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

μέρους: 784

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 390mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

μέρους: 171031

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 400mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

μέρους: 142010

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 140mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.5ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

μέρους: 262

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

μέρους: 173

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 510mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

μέρους: 183

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 400mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

μέρους: 211

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

μέρους: 213

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

μέρους: 196

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

μέρους: 264

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

μέρους: 5028

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

μέρους: 200

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

μέρους: 264

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 360mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

μέρους: 178

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

CMS01(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

μέρους: 129014

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

μέρους: 124325

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 400mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

μέρους: 143420

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

207

«
1
2
3
4
5
6
»