Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 100

APTM10DUM05TG

μέρους: 2783

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 278A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM10DHM09TG

μέρους: 2789

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM10DDAM19T3G

μέρους: 2824

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100TDU35PG

μέρους: 2796

Τύπος FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM10DDAM09T3G

μέρους: 2768

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100DUM90G

μέρους: 2758

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100H80FT1G

μέρους: 2809

Τύπος FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100DU18TG

μέρους: 2809

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 43A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

μέρους: 2731

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100A46FT1G

μέρους: 2813

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 19A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100A40FT1G

μέρους: 2805

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 21A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100A12STG

μέρους: 2822

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 68A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM100A23SCTG

μέρους: 2760

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Silicon Carbide (SiC), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V (1kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM08TDUM04PG

μέρους: 2746

Τύπος FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC80H29T1G

μέρους: 2742

Τύπος FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC80DSK29T3G

μέρους: 2793

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC80H29SCTG

μέρους: 1092

Τύπος FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC80DDA29T3G

μέρους: 2788

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC80A15T1G

μέρους: 2799

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC80AM75SCG

μέρους: 594

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 56A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC80A10SCTG

μέρους: 863

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 42A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC60DSKM70T3G

μέρους: 2751

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC60DSKM35T3G

μέρους: 2727

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T3G

μέρους: 2741

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTC60AM70T1G

μέρους: 2769

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5802A

μέρους: 2728

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3810

μέρους: 2760

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3806

μέρους: 2744

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD606

μέρους: 2755

Τύπος FET: N and P-Channel, Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8803

μέρους: 2798

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7600

μέρους: 2769

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 900mA, 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804

μέρους: 2805

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4932

μέρους: 2765

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4826

μέρους: 2775

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP610

μέρους: 2727

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4619

μέρους: 3310

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών