| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Obsolete |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Δυνατότητα FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 36A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 308nC @ 10V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Ισχύς - Μέγ | 694W |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Chassis Mount |
| Πακέτο / θήκη | SP4 |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | SP4 |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
