Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Δυνατότητα FET | Standard |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 800V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 42A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 273nC @ 10V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 6761pF @ 25V |
Ισχύς - Μέγ | 416W |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Chassis Mount |
Πακέτο / θήκη | SP4 |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | SP4 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |