Τρανζίστο&

Infineon Technologies

AUIRF7343Q

μέρους: 2791

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115MAL

μέρους: 31406

Τύπος FET: N and P-Channel Complementary, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933MAL

μέρους: 33438

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6810

μέρους: 3334

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM60A23FT1G

μέρους: 2807

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50TDUM65PG

μέρους: 3356

Τύπος FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DUM38TG

μέρους: 2789

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DUM25TG

μέρους: 2781

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DUM35TG

μέρους: 2820

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DUM19G

μέρους: 2832

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 163A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DUM17G

μέρους: 2758

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Στη λίστα επιθυμιών

APTM50DSKM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DSKM65T3G

μέρους: 3279

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DHM75TG

μέρους: 2739

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DSK10T3G

μέρους: 2805

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50DHM65TG

μέρους: 3354

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50AM25FTG

μέρους: 2755

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50AM70FT1G

μέρους: 2771

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50A15FT1G

μέρους: 2761

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM50AM19STG

μέρους: 2747

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Silicon Carbide (SiC), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

μέρους: 2803

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM20TDUM16PG

μέρους: 2825

Τύπος FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM20DUM05TG

μέρους: 2827

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM20DHM10G

μέρους: 2785

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM20DHM16TG

μέρους: 2733

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM20DHM08G

μέρους: 2824

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM20AM05FTG

μέρους: 2762

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM120TDU57PG

μέρους: 2732

Τύπος FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM120H57FT3G

μέρους: 2766

Τύπος FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM120DU29TG

μέρους: 2792

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

APTM120DSK57T3G

Microsemi Corporation

APTM120DSK57T3G

μέρους: 2791

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM120A80FT1G

μέρους: 2744

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

APTM120DDA57T3G

Microsemi Corporation

APTM120DDA57T3G

μέρους: 2827

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM120A65FT1G

μέρους: 2750

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM10TDUM19PG

μέρους: 2820

Τύπος FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM10TDUM09PG

μέρους: 2746

Τύπος FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTM10HM09FTG

μέρους: 2809

Τύπος FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Στη λίστα επιθυμιών

3600

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»