Τρανζίστο&

2SK3666-2-TB-E

μέρους: 158873

Τύπος FET: N-Channel, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 10mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 180mV @ 1µA,

2N5116JTXL02

μέρους: 945

2N5116JTX02

μέρους: 1019

2N5116JTVL02

μέρους: 724

2N4392

μέρους: 3873

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 2V @ 1nA,

2N4859

μέρους: 1419

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4860

μέρους: 1372

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4092UB

μέρους: 1695

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4860UB

μέρους: 1005

2N5115UB

μέρους: 1497

Τύπος FET: P-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4857

μέρους: 1371

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4392UB

μέρους: 2522

2N2609

μέρους: 256

Τύπος FET: P-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 5V, Τρέχουσα αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) - Μέγ: 10mA, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 750mV @ 1A,

2N4091UB

μέρους: 1561

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N4092

μέρους: 2296

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

2N4858

μέρους: 1388

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4859UB

μέρους: 1010

2N4857UB

μέρους: 1002

2N4391

μέρους: 66304

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4856

μέρους: 1393

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4393UB

μέρους: 2593

2N4858UB

μέρους: 1010

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V,

2N3821

μέρους: 2866

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 50V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4091

μέρους: 2228

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

2N3823

μέρους: 2889

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 8V @ 500pA,

2N5114

μέρους: 2096

Τύπος FET: P-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 10V @ 1nA,

2N5115

μέρους: 2081

Τύπος FET: P-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 30V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4391UB

μέρους: 2556

2N4093UB

μέρους: 1735

Τύπος FET: N-Channel, Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS): 40V, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,

2N4856UB

μέρους: 1030

2SK879-Y(TE85L,F)

μέρους: 198791

Τύπος FET: N-Channel, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-GR(TE85L,F

μέρους: 405

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK879-GR(TE85L,F)

μέρους: 389

Τύπος FET: N-Channel, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-O(TE85L,F)

μέρους: 342

Τύπος FET: N-Channel, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-GR(TE85L,F)

μέρους: 340

Τύπος FET: N-Channel, Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-Y(TE85L,F)

μέρους: 123563

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Τάση - Διακοπή (απενεργοποίηση VGS) @ Id: 200mV @ 100nA,