Τρανζίστο&

Σπίτι
Τρανζίστο&

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

μέρους: 152609

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

μέρους: 98

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

μέρους: 124

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

μέρους: 114931

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

μέρους: 137653

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

μέρους: 153875

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

μέρους: 9987

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

μέρους: 115889

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

μέρους: 4365

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

μέρους: 167758

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

μέρους: 115887

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 300mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

μέρους: 179411

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

μέρους: 4432

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

μέρους: 124168

Τύπος τρανζίστορ: 7 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

μέρους: 104094

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

μέρους: 147055

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

μέρους: 104803

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

μέρους: 104

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

μέρους: 184759

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

μέρους: 4437

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

μέρους: 4500

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

μέρους: 4488

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

μέρους: 184335

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

μέρους: 4476

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

μέρους: 4401

Τύπος τρανζίστορ: 7 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

μέρους: 6508

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

μέρους: 151500

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

μέρους: 4471

Τύπος τρανζίστορ: 8 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

μέρους: 9945

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 300mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

μέρους: 111105

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

μέρους: 4492

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 30V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Λίστα επιθυμιών

ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

μέρους: 4430

Τύπος τρανζίστορ: 7 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

μέρους: 76

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

μέρους: 4464

Τύπος τρανζίστορ: 8 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

μέρους: 4503

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

μέρους: 9904

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

58

«
1
2
»