Τρανζίστο&

Σπίτι
Τρανζίστο&

RN2104(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

μέρους: 2145

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

μέρους: 90

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

μέρους: 186078

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN2119MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

μέρους: 2192

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN2305(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

μέρους: 178191

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

μέρους: 171892

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

μέρους: 189

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

μέρους: 146891

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

μέρους: 81

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

μέρους: 162509

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

μέρους: 165156

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

μέρους: 146

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN1310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

μέρους: 2124

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN2309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

μέρους: 2193

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN2114(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

μέρους: 128

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

μέρους: 188

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

μέρους: 102439

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN2311(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

μέρους: 3308

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

μέρους: 166487

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN1110(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

μέρους: 3223

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN2312(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

μέρους: 147502

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

μέρους: 2025

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

μέρους: 1951

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

μέρους: 135884

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

μέρους: 1906

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

μέρους: 3274

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN1102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

μέρους: 3264

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 80mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

μέρους: 123572

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN2307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

μέρους: 1971

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

μέρους: 197244

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

μέρους: 3192

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

μέρους: 1945

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN1109(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

μέρους: 3219

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN1303(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

μέρους: 1973

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

μέρους: 1960

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

RN1118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

μέρους: 1923

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

199

«
1
2
3
4
5
6
»