μέρους: 2913
Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: GaNFET (Gallium Nitride), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,