&Tau;&rho;&alpha;&nu;&zeta;ί&sigma;&tau;&omicron;&

FDMS3616S

μέρους: 2851

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A, 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

FDW2507NZ

μέρους: 2692

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NTQD6968NR2G

μέρους: 2683

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NDS9925A

μέρους: 2695

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NTZD3154NT1H

μέρους: 188943

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

ECH8675-TL-H

μέρους: 2918

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

Στη λίστα επιθυμιών

FDS6984S

μέρους: 2757

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.5A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NDS9942

μέρους: 2712

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

NTMD2P01R2

μέρους: 2666

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 16V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

FDJ1027P

μέρους: 2758

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NDS9956A

μέρους: 2657

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NTHD5905T1

μέρους: 2720

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 8V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

MMDF2N02ER2

μέρους: 2712

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NDM3000

μέρους: 2702

Τύπος FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

NDS8926

μέρους: 2667

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SIA511DJ-T1-GE3

μέρους: 2748

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI1970DH-T1-GE3

μέρους: 3345

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI7911DN-T1-GE3

μέρους: 3351

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SIA914DJ-T1-E3

μέρους: 2809

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SQJ940EP-T1_GE3

μέρους: 137151

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI4804BDY-T1-E3

μέρους: 2731

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI1025X-T1-E3

μέρους: 2759

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 190mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI1033X-T1-E3

μέρους: 2716

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 145mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI4544DY-T1-E3

μέρους: 2827

Τύπος FET: N and P-Channel, Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Στη λίστα επιθυμιών

SIS902DN-T1-GE3

μέρους: 5353

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI4830ADY-T1-GE3

μέρους: 2864

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI5504DC-T1-GE3

μέρους: 2847

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

μέρους: 83530

Τύπος FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1A, 800mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

DI9945T

μέρους: 2659

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

IRFHS9351TR2PBF

μέρους: 2826

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA,

Στη λίστα επιθυμιών

IRF7750

μέρους: 2669

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

IRF7754GTRPBF

μέρους: 2807

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών