&Tau;&rho;&alpha;&nu;&zeta;ί&sigma;&tau;&omicron;&

NVMFD5873NLT1G

μέρους: 73807

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

FDS9958-F085

μέρους: 26954

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

FDS8858CZ

μέρους: 153147

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.6A, 7.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

ECH8660-TL-H

μέρους: 177854

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

Στη λίστα επιθυμιών

IRF7905TRPBF

μέρους: 187870

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.8A, 8.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

Στη λίστα επιθυμιών

IPG20N06S2L50AATMA1

μέρους: 140292

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

Στη λίστα επιθυμιών

IRF9358TRPBF

μέρους: 160762

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

Στη λίστα επιθυμιών

IPG16N10S461ATMA1

μέρους: 100256

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA,

Στη λίστα επιθυμιών

IRFHM8363TRPBF

μέρους: 191314

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Στη λίστα επιθυμιών

IPG20N04S4L11AATMA1

μέρους: 165940

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

Στη λίστα επιθυμιών

STMicroelectronics

STS1DNC45

μέρους: 85375

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 450V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 400mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

STMicroelectronics

STS8DNF3LL

μέρους: 136676

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SIA922EDJ-T1-GE3

μέρους: 104410

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI9926CDY-T1-E3

μέρους: 125202

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SQJ974EP-T1_GE3

μέρους: 141603

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI5504BDC-T1-GE3

μέρους: 163985

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI7288DP-T1-GE3

μέρους: 108168

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI7900AEDN-T1-E3

μέρους: 97121

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI4214DDY-T1-GE3

μέρους: 102448

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI5935CDC-T1-GE3

μέρους: 154777

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI5936DU-T1-GE3

μέρους: 193614

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SI1025X-T1-GE3

μέρους: 121434

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 190mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

μέρους: 169010

Τύπος FET: N and P-Channel Complementary, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

SH8M24TB1

μέρους: 112720

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 45V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

UM6J1NTN

μέρους: 145064

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

QS8J13TR

μέρους: 157844

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

SH8M11TB1

μέρους: 138257

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

EM6K34T2CR

μέρους: 122186

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

ZDM4306NTA

μέρους: 2658

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Στη λίστα επιθυμιών

DMC1018UPD-13

μέρους: 180420

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9.5A, 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Στη λίστα επιθυμιών

ZXMD63P02XTA

μέρους: 110973

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

Στη λίστα επιθυμιών