Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 100

B140-E3/61T

μέρους: 196511

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW29-150-E3/45

μέρους: 143165

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW29-50-E3/45

μέρους: 143135

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29-300-E3/45

μέρους: 147226

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWE29-100-E3/45

μέρους: 153368

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-E3-08

μέρους: 178629

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 250mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-E3/TR

μέρους: 194624

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR

μέρους: 179740

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-E3/TR

μέρους: 160634

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GPE-E3/53

μέρους: 134319

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200HE3/96

μέρους: 192334

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400HE3/96

μέρους: 131977

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800HE3/96

μέρους: 146814

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600HE3/96

μέρους: 161984

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000HE3/96

μέρους: 182936

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-50HE3/96

μέρους: 111618

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100HE3/96

μέρους: 156024

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400-E3/98

μέρους: 150546

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-150-E3/98

μέρους: 144212

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600HE3/97

μέρους: 125406

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800HE3/97

μέρους: 109162

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-50HE3/97

μέρους: 100313

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400HE3/97

μέρους: 130771

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100HE3/97

μέρους: 115171

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000HE3/97

μέρους: 189752

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200HE3/97

μέρους: 100002

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300-E3/83

μέρους: 131704

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50-E3/98

μέρους: 115901

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-100-E3/83

μέρους: 169725

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200-E3/83

μέρους: 167628

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50-E3/83

μέρους: 176359

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159GP-E3/73

μέρους: 150620

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-400HE3_A/I

μέρους: 8516

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300HE3_A/I

μέρους: 8552

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-50HE3_A/I

μέρους: 8585

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200HE3_A/I

μέρους: 8518

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών