Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-08

μέρους: 185466

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 6ns,

Λίστα επιθυμιών
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-08

μέρους: 175504

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 6ns,

Λίστα επιθυμιών
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-18

μέρους: 164062

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 6ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-18

μέρους: 178973

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS18

μέρους: 153471

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS18

μέρους: 172005

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS08

μέρους: 158649

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-1N3891R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3891R

μέρους: 14617

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 12A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 300ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-70HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120

μέρους: 9505

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 220A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-300U30A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300U30A

μέρους: 1921

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 942A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-240UR80D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240UR80D

μέρους: 1530

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 320A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.33V @ 750A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS08SPBF

μέρους: 25294

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 95ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045SPBF

μέρους: 43609

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 18A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-1N3209
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3209

μέρους: 12937

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 15A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-40HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL100S05

μέρους: 5411

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.95V @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-15TT100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15TT100

μέρους: 125688

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF12FP-M3

μέρους: 11184

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.31V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 400ns,

Λίστα επιθυμιών
EGL41B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41B/1

μέρους: 198616

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
UH1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH1PD-M3/85A

μέρους: 190343

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.05V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 40ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS12S-M3

μέρους: 33360

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD1100C12C

μέρους: 1247

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1400A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.31V @ 1500A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GP10J-4005HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005HE3/54

μέρους: 161380

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL34G/51

μέρους: 119255

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
MUR160/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR160/54

μέρους: 161367

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-1N3893
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3893

μέρους: 10697

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 12A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 300ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-20ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF04-M3

μέρους: 10805

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 160ns,

Λίστα επιθυμιών
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGL34D/1

μέρους: 134851

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-40HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF100

μέρους: 7355

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 125A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

SD453N16S30PC

μέρους: 664

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 450A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 1500A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών
EGL41D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41D/1

μέρους: 141735

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
GP10K-4006EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10K-4006EHE3/54

μέρους: 117977

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-ETH1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETH1506S-M3

μέρους: 46686

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.45V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 29ns,

Λίστα επιθυμιών
VS-40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF60

μέρους: 8993

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 125A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GP10J-4005EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005EHE3/54

μέρους: 133740

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GL41Y/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41Y/1

μέρους: 114302

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-240U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240U120D

μέρους: 1800

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 320A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.33V @ 750A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών