Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

BAV21WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-G3-08

μέρους: 174085

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR

μέρους: 113865

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYG21K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR

μέρους: 165220

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS16D-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-E3-08

μέρους: 126850

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 6ns,

Λίστα επιθυμιών
BAT54W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-G3-08

μέρους: 125289

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 5ns,

Λίστα επιθυμιών
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/97

μέρους: 128278

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV21WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-18

μέρους: 143333

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS281-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS281-GS08

μέρους: 182315

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAS16WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-HE3-18

μέρους: 192905

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 6ns,

Λίστα επιθυμιών
BYW36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TAP

μέρους: 135103

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-200-E3/97

μέρους: 138454

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
BYM36E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM36E-TAP

μέρους: 193769

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.9A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.78V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

Λίστα επιθυμιών
BYV28-600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TR

μέρους: 134642

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS170WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-18

μέρους: 133505

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAQ335-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR

μέρους: 190878

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 125V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BYV27-200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TR

μέρους: 153878

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.07V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS83-GS08

μέρους: 115843

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BY228-15TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228-15TAP

μέρους: 193803

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TAP

μέρους: 150982

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/97

μέρους: 109607

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
BAQ133-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS08

μέρους: 147679

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAT54-02V-V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-18

μέρους: 175247

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 5ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV301-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR

μέρους: 119517

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-18

μέρους: 176831

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYV28-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-100-TAP

μέρους: 163502

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 30ns,

Λίστα επιθυμιών
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360A-E3/61T

μέρους: 170389

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
BYG10YHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/H

μέρους: 23260

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BA157GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157GP-E3/54

μέρους: 181076

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 150ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS16WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-G3-08

μέρους: 190132

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 6ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV19WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19WS-HE3-08

μέρους: 102266

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS21-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-08

μέρους: 101367

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV21W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21W-HE3-08

μέρους: 110111

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAT46W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46W-G3-08

μέρους: 105403

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 250mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAV100-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS08

μέρους: 115219

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT78-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT78-TAP

μέρους: 181219

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 250ns,

Λίστα επιθυμιών
BYG10G-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR

μέρους: 136486

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών