Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 100

BYD13GGP-E3/54

μέρους: 5170

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13DGP-E3/54

μέρους: 985

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-14EHE3/54

μέρους: 994

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY520-16EHE3/54

μέρους: 993

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY500-200-E3/54

μέρους: 986

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.35V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ33-GS08

μέρους: 159944

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY398P-E3/54

μέρους: 960

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-150-TR

μέρους: 151017

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 30ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448GPHE3/54

μέρους: 963

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 20µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV102-GS08

μέρους: 195083

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ334-TR

μέρους: 132198

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY396P-E3/54

μέρους: 957

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY397P-E3/54

μέρους: 997

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY299P-E3/54

μέρους: 927

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY298P-E3/54

μέρους: 921

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY297P-E3/54

μέρους: 995

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GP-E3/54

μέρους: 5102

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY254GPHE3/54

μέρους: 933

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GPHE3/54

μέρους: 910

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253GP-E3/54

μέρους: 5164

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GPHE3/54

μέρους: 916

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252GP-E3/54

μέρους: 938

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GPHE3/54

μέρους: 917

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800HE3/81

μέρους: 942

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GP-E3/54

μέρους: 936

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-800-E3/81

μέρους: 925

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600HE3/81

μέρους: 935

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-600-E3/81

μέρους: 971

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400HE3/81

μέρους: 906

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-400-E3/81

μέρους: 5135

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200HE3/81

μέρους: 993

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GPHE3/54

μέρους: 988

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 2.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 20µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY229B-200-E3/81

μέρους: 5138

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.85V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 145ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY227MGP-E3/54

μέρους: 923

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1250V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY206GPHE3/54

μέρους: 921

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 400mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BY134GP-E3/54

μέρους: 914

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών