Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 680mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 790mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 870mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 480mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 690mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 800mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 800mA, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 930mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,
Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 4A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.55V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 530mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 8A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.8V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.55V @ 12A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 1mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 540mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 510mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.55V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 350V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 30ns,
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 430V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.55V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,
