Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 3

BA12004BF-E2

μέρους: 184029

Τύπος τρανζίστορ: 7 NPN Darlington, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMX25T110

μέρους: 176308

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 300mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMH3NFHATN

μέρους: 54

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMX1FHAT2R

μέρους: 86

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMB4NFHATN

μέρους: 65

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMB10NFHATN

μέρους: 86

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMT18T110

μέρους: 189248

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

μέρους: 105089

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

μέρους: 120

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

μέρους: 123

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMX18T2R

μέρους: 102854

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMX9T110

μέρους: 121142

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMX1T2R

μέρους: 141083

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMX18NTN

μέρους: 176996

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMZ7NTR

μέρους: 173450

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMX3NTR

μέρους: 161100

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMT4T108

μέρους: 120898

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMZ1T2R

μέρους: 159590

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMX2T2R

μέρους: 130305

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMX5NTR

μέρους: 180998

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 11V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMZ1AT108

μέρους: 154056

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMT17T110

μέρους: 4489

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMX2T108

μέρους: 126207

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMT2NTR

μέρους: 166499

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMX52T2R

μέρους: 177844

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

VT6X1T2R

μέρους: 181553

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 200mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

QST8TR

μέρους: 165043

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMZ8T2R

μέρους: 146330

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMX26T2R

μέρους: 150147

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 300nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMY1T2R

μέρους: 115385

Τύπος τρανζίστορ: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMT1T2R

μέρους: 173955

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMT18T2R

μέρους: 174521

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 500mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 12V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EMX4T2R

μέρους: 175722

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 20V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

UMX1NTN

μέρους: 147331

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

IMT2AT108

μέρους: 186534

Τύπος τρανζίστορ: 2 PNP (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 150mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

VT6X2T2R

μέρους: 143381

Τύπος τρανζίστορ: 2 NPN (Dual), Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Λίστα επιθυμιών