Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 5

BSM180D12P3C007

μέρους: 168

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Silicon Carbide (SiC), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

BSM300D12P2E001

μέρους: 201

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Silicon Carbide (SiC), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 300A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 68mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

BSM080D12P2C008

μέρους: 263

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Silicon Carbide (SiC), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 80A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

BSM120D12P2C005

μέρους: 258

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Silicon Carbide (SiC), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 22mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

BSM180D12P2C101

μέρους: 243

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Δυνατότητα FET: Silicon Carbide (SiC), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V (1.2kV), Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 204A (Tc), Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

VT6J1T2CR

μέρους: 168368

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EM6K31T2R

μέρους: 181152

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EM6K31GT2R

μέρους: 153168

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

VT6M1T2CR

μέρους: 125142

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

EM6J1T2R

μέρους: 109230

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8J13TCR

μέρους: 181566

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

US6J11TR

μέρους: 145887

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8J11TCR

μέρους: 175857

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8M24FRATB

μέρους: 109

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 45V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, 63 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8M51FRATB

μέρους: 152

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A (Ta), 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8M3TR

μέρους: 154779

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A, 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

HP8KA1TB

μέρους: 113065

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8K22FRATB

μέρους: 87

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 45V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8K33FRATB

μέρους: 149

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8K1TR

μέρους: 171251

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8K11TCR

μέρους: 195555

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8K52FRATB

μέρους: 115

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8J3TR

μέρους: 193760

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8K32FRATB

μέρους: 80

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

HP8S36TB

μέρους: 130641

Τύπος FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 27A, 80A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

US6K1TR

μέρους: 126806

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

US6M2GTR

μέρους: 127

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.5A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

HS8K11TB

μέρους: 188805

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A, 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8K2TR

μέρους: 164928

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8M2TR

μέρους: 126279

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8M5FRATB

μέρους: 154

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8M6FRATB

μέρους: 153

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8M21FRATB

μέρους: 70

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 45V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

μέρους: 123

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 45V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

TT8J2TR

μέρους: 170382

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

US6K2TR

μέρους: 124293

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Λίστα επιθυμιών