Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

Rohm Semiconductor

RF05VA1STR

μέρους: 139000

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RR2LAM6STR

μέρους: 183100

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB160LAM-90TR

μέρους: 180568

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 730mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RBR3LAM40ATFTR

μέρους: 8530

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB550VA-30TR

μέρους: 148622

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RF201L4STE25

μέρους: 185599

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 30ns,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB068L100TE25

μέρους: 138974

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB160L-90TE25

μέρους: 176177

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 730mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RF101L2SDDTE25

μέρους: 188773

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 870mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB520CS-30T2R

μέρους: 142797

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 10mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RF103L2STE25

μέρους: 183336

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 20ns,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB068LAM-40TR

μέρους: 181402

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 690mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB068LAM150TR

μέρους: 150514

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB060LAM-40TR

μέρους: 197933

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RBR1LAM30ATFTR

μέρους: 8471

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RBR5LAM60ATFTR

μέρους: 8635

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB168L-40TE25

μέρους: 165030

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB068LAM-30TR

μέρους: 111739

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB060L-40TE25

μέρους: 177392

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSX301L-30TE25

μέρους: 119926

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 420mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RFN2LAM4STR

μέρους: 8664

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 30ns,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RF071L4STE25

μέρους: 108083

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 700mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB051LA-40TR

μέρους: 100393

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSX201VA-30TR

μέρους: 142509

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB081L-20TE25

μέρους: 191611

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB411VA-50TR

μέρους: 142804

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RFN1L6STE25

μέρους: 188174

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 800mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.45V @ 800mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB500V-40TE-17

μέρους: 189305

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 10mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB168MM100TR

μέρους: 137529

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB168M-60TR

μέρους: 185171

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 680mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB168L150TE25

μέρους: 122919

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB168M-40TR

μέρους: 190657

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RBR3LAM60BTFTR

μέρους: 4914

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSX201L-30TE25

μέρους: 150194

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 440mV @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB162M-40TR

μέρους: 199082

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB168LAM100TR

μέρους: 110889

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 810mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

642

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»