Τρανζίστο&

Σπίτι
Τρανζίστο&

Rohm Semiconductor

US6U37TR

μέρους: 141036

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSS140N03TB

μέρους: 9555

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 14A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSS090N03FU6TB

μέρους: 126883

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RQ3C150BCTB

μέρους: 159298

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 15A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RTQ035N03TR

μέρους: 141652

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

US5U3TR

μέρους: 154332

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RQ3E100BNTB

μέρους: 160448

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 10A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RQ5C060BCTCL

μέρους: 187018

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1 mOhm @ 6A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSQ045N03TR

μέρους: 199438

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSR020N06TL

μέρους: 159548

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

QS5U28TR

μέρους: 195752

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RE1C001ZPTL

μέρους: 153902

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RK7002AT116

μέρους: 9595

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSR010N10TL

μέρους: 145754

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSS120N03TB

μέρους: 9507

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RK7002T116

μέρους: 9422

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SCT3080ALGC11

μέρους: 6505

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 10A, 18V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSS065N03FU6TB

μέρους: 154943

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RP1E125XNTR

μέρους: 9442

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RP1A090ZPTR

μέρους: 9456

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 9A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSS105N03TB

μέρους: 9168

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RUE003N02TL

μέρους: 148700

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSQ015P10TR

μέρους: 195356

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 1.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSS090P03TB

μέρους: 8648

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RZF013P01TL

μέρους: 109541

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSD160P05TL

μέρους: 174174

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 45V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 16A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

SCT3120ALGC11

μέρους: 12438

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: SiCFET (Silicon Carbide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 21A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 6.7A, 18V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RUF020N02TL

μέρους: 151036

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

QS6U24TR

μέρους: 104766

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RE1C001UNTCL

μέρους: 149920

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RV2C002UNT2L

μέρους: 194401

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RD3L140SPTL1

μέρους: 21524

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 14A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RTF025N03FRATL

μέρους: 25884

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RSC002P03T316

μέρους: 188827

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RMW280N03TB

μέρους: 5951

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 28A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 28A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RW1E025RPT2CR

μέρους: 169518

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

644

«
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
»