Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 21

MBR8045

μέρους: 4200

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 80A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

μέρους: 2354

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

μέρους: 7100

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

μέρους: 2289

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

μέρους: 2377

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

μέρους: 5676

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 50A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

μέρους: 6031

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 85A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 85A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

μέρους: 7147

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

μέρους: 6017

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 85A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 85A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

μέρους: 2356

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

μέρους: 2350

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 70A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 110ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

μέρους: 2334

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

μέρους: 2296

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

μέρους: 2318

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 300A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

μέρους: 5231

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 300A,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

μέρους: 2307

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

μέρους: 2242

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

μέρους: 2232

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

μέρους: 311

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 8000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 4.6V @ 50mA, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

μέρους: 2319

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

μέρους: 2265

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

μέρους: 2239

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

μέρους: 2328

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

μέρους: 2310

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

μέρους: 2284

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

μέρους: 2270

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

μέρους: 2239

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

μέρους: 5225

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

μέρους: 2278

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

μέρους: 2301

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

μέρους: 2249

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

μέρους: 2239

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

μέρους: 2267

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

μέρους: 10367

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

μέρους: 20747

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 1A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

μέρους: 5683

Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 3300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 300mA, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 0ns,

Λίστα επιθυμιών