Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 21

S25G

μέρους: 13168

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 25A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR60100R

μέρους: 5437

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR16K05

μέρους: 14588

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 16A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR6060

μέρους: 5361

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH12080

μέρους: 2881

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S16GR

μέρους: 20582

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 16A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S380YR

μέρους: 2044

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 380A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 380A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR85KR05

μέρους: 7829

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 85A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 85A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR85G05

μέρους: 7759

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 85A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 85A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURH10060R

μέρους: 3570

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 110ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S70VR

μέρους: 9670

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 70A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S70DR

μέρους: 9579

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 70A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S40VR

μέρους: 9940

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 40A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURH7060

μέρους: 45

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 70A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 110ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH20080

μέρους: 2594

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 200A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR7010R

μέρους: 7638

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 70A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR12B05

μέρους: 15974

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 12A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR2520R

μέρους: 9639

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150R

μέρους: 120

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 240A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 240A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S40J

μέρους: 12402

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 40A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH240100

μέρους: 46

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 240A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 240A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S300ZR

μέρους: 2019

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S70K

μέρους: 9606

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 70A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR8035

μέρους: 5422

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 80A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR85D02

μέρους: 7938

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 85A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 85A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S12QR

μέρους: 12920

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 12A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S16G

μέρους: 15895

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 16A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR12DR02

μέρους: 16885

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 12A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR85J05

μέρους: 7746

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 85A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 85A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR30A02

μέρους: 9637

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GKR240/18

μέρους: 2375

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 165A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH12080R

μέρους: 2834

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURH7020R

μέρους: 1734

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 70A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR6K05

μέρους: 12915

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH24020

μέρους: 50

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 240A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 240A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S6MR

μέρους: 13500

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 6A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών