Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 21

GKN240/12

μέρους: 2355

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 320A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S300J

μέρους: 2052

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR6045

μέρους: 5433

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S320JR

μέρους: 1959

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 320A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 300A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100R

μέρους: 2683

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GKN130/04

μέρους: 3738

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 165A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GKN71/16

μέρους: 12880

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 95A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR16JR05

μέρους: 13647

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 16A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR40B02

μέρους: 9617

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S150MR

μέρους: 2539

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURH10040R

μέρους: 3710

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 90ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR85B02

μέρους: 7804

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 85A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 85A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR8020R

μέρους: 5366

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 80A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MURH7005R

μέρους: 117

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 70A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH12020

μέρους: 2900

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S70G

μέρους: 9616

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 70A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S380Z

μέρους: 1964

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 380A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 380A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH24040R

μέρους: 64

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 240A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 240A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S70YR

μέρους: 9576

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 70A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH12035

μέρους: 2861

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR20A02

μέρους: 9627

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GKN130/12

μέρους: 3687

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 165A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150

μέρους: 50

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 240A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 240A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100

μέρους: 2716

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 120A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GKR71/14

μέρους: 9573

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 95A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S6J

μέρους: 18937

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 6A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MBR7530

μέρους: 5447

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 75A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 75A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

GKN240/14

μέρους: 2352

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 320A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

SD41

μέρους: 6564

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 680mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

S150J

μέρους: 2509

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR16BR05

μέρους: 12966

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 16A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR70MR05

μέρους: 9655

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 70A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR40K05

μέρους: 9575

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR30KR05

μέρους: 9582

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MUR7005R

μέρους: 7621

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 70A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 70A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

FR40G05

μέρους: 9612

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 500ns,

Λίστα επιθυμιών