Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

μέρους: 6992

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

μέρους: 6990

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

μέρους: 7022

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

μέρους: 7021

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

μέρους: 6703

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

μέρους: 6975

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

μέρους: 7020

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

μέρους: 7022

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

μέρους: 6954

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

μέρους: 6948

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

μέρους: 6990

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

μέρους: 6947

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

μέρους: 7035

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

μέρους: 7005

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

μέρους: 6999

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

μέρους: 7004

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 400mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

μέρους: 6754

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 400mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 80V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

μέρους: 6942

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

μέρους: 6995

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

μέρους: 7000

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

μέρους: 6996

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 4A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 2µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

μέρους: 6949

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

μέρους: 6958

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

μέρους: 6947

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

μέρους: 6980

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 60V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

μέρους: 7012

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

μέρους: 6968

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

μέρους: 7012

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

μέρους: 6956

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

μέρους: 6980

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

μέρους: 6968

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

μέρους: 7009

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

μέρους: 6956

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

μέρους: 6969

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 150V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

μέρους: 7016

Τύπος τρανζίστορ: PNP, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 800mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

2SC6017-E

μέρους: 111005

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 10A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών