Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 100

2SD2257,KEHINQ(J

μέρους: 6789

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

μέρους: 6792

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

μέρους: 6778

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

μέρους: 6989

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 120V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

μέρους: 7064

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

μέρους: 7008

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

μέρους: 7045

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

μέρους: 7037

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

μέρους: 7039

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

μέρους: 7003

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 100V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

μέρους: 7001

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 375V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

μέρους: 6717

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1.5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 160V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

μέρους: 7021

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 800V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

μέρους: 7019

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 375V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

μέρους: 6714

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

μέρους: 7015

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 800V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

μέρους: 6994

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

μέρους: 6971

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

μέρους: 6716

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

μέρους: 7019

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

μέρους: 6724

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

μέρους: 6968

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

μέρους: 7006

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 400V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 20µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

μέρους: 7026

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 50mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 600V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

μέρους: 6967

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

μέρους: 6979

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

μέρους: 6992

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

μέρους: 7059

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

μέρους: 6988

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 2A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 180V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

μέρους: 7005

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 3A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881,LS1SUMIF(M

μέρους: 6962

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(M

μέρους: 7032

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881(CANO,F,M)

μέρους: 7001

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 5A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,NSEIKIF(J

μέρους: 7000

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,TOA1F(J

μέρους: 7001

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(M

μέρους: 6995

Τύπος τρανζίστορ: NPN, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 1A, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 230V, Κορεσμός Vce (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Τρέχουσα - Συλλεκτική αποκοπή (Μέγ.): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Στη λίστα επιθυμιών