Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 100

MBR15150CTHC0G

μέρους: 100

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.05V @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608PT C0G

μέρους: 121

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CTHC0G

μέρους: 135

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 820mV @ 12.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150 C0G

μέρους: 104

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001 C0G

μέρους: 148

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CT C0G

μέρους: 109

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640PTHC0G

μέρους: 95

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PT C0G

μέρους: 85

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CTHC0G

μέρους: 83

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 820mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L120CTHC0G

μέρους: 143

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CT C0G

μέρους: 126

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 975mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050CT C0G

μέρους: 94

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 770mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100PT C0G

μέρους: 129

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CT MNG

μέρους: 95

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25150CT C0G

μέρους: 74

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.02V @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CTHC0G

μέρους: 115

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.02V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Sanken

FMX-4206S

μέρους: 40926

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Sanken

MPL-102SVR

μέρους: 80794

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3045CTR-M3

μέρους: 78011

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 760mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNHM3

μέρους: 81440

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 3.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 960mV @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

V6KL45DUHM3/I

μέρους: 118437

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 540mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH02HM3/86A

μέρους: 185066

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ06FN-M3

μέρους: 187229

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 610mV @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2035CT-M3

μέρους: 101507

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 570mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2045CT-1-M3

μέρους: 99402

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CSH02-M3/87A

μέρους: 179933

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 980V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100-1-M3

μέρους: 86626

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 860mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

μέρους: 1410

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 250A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 250A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Panasonic Electronic Components

DB3S314F0L

μέρους: 152564

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 30mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

μέρους: 83420

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Comchip Technology

C3045CT-G

μέρους: 80

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

STMicroelectronics

STTH2002CR

μέρους: 34228

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

STMicroelectronics

STTH16R04CG-TR

μέρους: 73963

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB238NS150FHTL

μέρους: 88

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Rohm Semiconductor

RB095BGE-60TL

μέρους: 69

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 3A,

Στη λίστα επιθυμιών

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDT3G

μέρους: 131

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 910mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών