Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

RB731XNTR
Rohm Semiconductor

RB731XNTR

μέρους: 184649

Διαμόρφωση διόδων: 3 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 370mV @ 1mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
RBQ30NS65AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ30NS65AFHTL

μέρους: 114

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 65V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 690mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
VS-20CTQ150STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRLHM3

μέρους: 54892

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
VS-6CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH01-M3/86A

μέρους: 137911

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 940mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
VS-52CPQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-52CPQ030-N3

μέρους: 11824

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 50A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
VS-12CWQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRLHM3

μέρους: 65197

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 680mV @ 12A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
SS10P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4CHM3_A/H

μέρους: 176200

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 530mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
CDSV6-4148-G
Comchip Technology

CDSV6-4148-G

μέρους: 151253

Διαμόρφωση διόδων: 3 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
CDSV6-4448SD-G
Comchip Technology

CDSV6-4448SD-G

μέρους: 112323

Διαμόρφωση διόδων: 2 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
CDBD1060-G
Comchip Technology

CDBD1060-G

μέρους: 138989

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
CDBV3-54C-G
Comchip Technology

CDBV3-54C-G

μέρους: 191496

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
CDSV3-99-G
Comchip Technology

CDSV3-99-G

μέρους: 146387

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 300mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
CDBV3-40A-G
Comchip Technology

CDBV3-40A-G

μέρους: 154237

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 40mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
MBR25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25150CT C0G

μέρους: 80

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.02V @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
SRF1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1650 C0G

μέρους: 170

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
SRS2050 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2050 MNG

μέρους: 91

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBR3035PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3035PT C0G

μέρους: 111

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 820mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRS1050CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CT MNG

μέρους: 158

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRS2045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CT MNG

μέρους: 117

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRF1035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035CTHC0G

μέρους: 149

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
SRF1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1630HC0G

μέρους: 130

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
HER1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1607G C0G

μέρους: 150

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
SRS1690 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1690 MNG

μέρους: 161

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRS15100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT-Y MNG

μέρους: 146

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRF3090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3090CTHC0G

μέρους: 156

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 940mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRF2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2060CTHC0G

μέρους: 112

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBR30L45CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L45CTHC0G

μέρους: 160

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
HER1603PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1603PT C0G

μέρους: 79

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRF2560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2560CTHC0G

μέρους: 146

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 12.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
UGF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1606G C0G

μέρους: 150

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBRS2590CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2590CTHMNG

μέρους: 102

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBR3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CT C0G

μέρους: 116

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 820mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
TRS16N65D,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

μέρους: 10959

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.7V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

μέρους: 83401

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
STTH10LCD06CT
STMicroelectronics

STTH10LCD06CT

μέρους: 64477

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
MSRT20080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

μέρους: 1478

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 200A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών