Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 100

APT2X101S20J

μέρους: 2725

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 120A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

μέρους: 20940

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.4V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

μέρους: 1426

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

μέρους: 11515

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.4V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

μέρους: 1510

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

μέρους: 4471

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

μέρους: 4419

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

μέρους: 7652

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 17A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

μέρους: 647

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 60A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

μέρους: 910

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 40A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

μέρους: 4083

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 40A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

μέρους: 4104

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 30A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

μέρους: 4162

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 30A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

μέρους: 1523

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

μέρους: 4122

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 90A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 90A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

μέρους: 3952

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 36A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 10A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

μέρους: 2369

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

μέρους: 952

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 40A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

μέρους: 777

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 50A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 50A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

μέρους: 3868

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3.3V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

μέρους: 3871

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.4V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

μέρους: 3895

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

μέρους: 3885

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

μέρους: 4438

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3.3V @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

μέρους: 3858

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3V @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

μέρους: 6132

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 4V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

μέρους: 3860

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

μέρους: 4074

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

μέρους: 3544

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

μέρους: 3886

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

μέρους: 4128

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

μέρους: 4064

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

μέρους: 3857

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

μέρους: 2926

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

μέρους: 143494

Διαμόρφωση διόδων: 3 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

μέρους: 4514

Διαμόρφωση διόδων: 3 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών