Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

μέρους: 3642

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

μέρους: 3654

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 740mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

μέρους: 3668

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 740mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

μέρους: 3686

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

μέρους: 3599

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

μέρους: 3616

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

μέρους: 3587

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

μέρους: 3557

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

μέρους: 3588

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

μέρους: 3592

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

μέρους: 10437

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

μέρους: 532

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1700V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 480A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.5V @ 400A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X30D100J
Microsemi Corporation

APT2X30D100J

μέρους: 3175

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 28A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X31D20J
Microsemi Corporation

APT2X31D20J

μέρους: 3498

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X30DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

μέρους: 3829

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X61DQ100J
Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

μέρους: 3118

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.8V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X101D30J
Microsemi Corporation

APT2X101D30J

μέρους: 2748

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X21DC60J
Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

μέρους: 1164

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X60D60J
Microsemi Corporation

APT2X60D60J

μέρους: 3356

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X100DQ60J
Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

μέρους: 3407

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X31D120J
Microsemi Corporation

APT2X31D120J

μέρους: 2782

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.5V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X50DC60J
Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

μέρους: 739

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 50A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.8V @ 50A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APTDF400KK20G
Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

μέρους: 842

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 400A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X101D100J
Microsemi Corporation

APT2X101D100J

μέρους: 2286

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 95A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.5V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

μέρους: 179

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3.3V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X31D100J
Microsemi Corporation

APT2X31D100J

μέρους: 3191

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 28A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.3V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X61D120J
Microsemi Corporation

APT2X61D120J

μέρους: 2464

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 53A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.5V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X60D120J
Microsemi Corporation

APT2X60D120J

μέρους: 2442

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 53A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.5V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X61D20J
Microsemi Corporation

APT2X61D20J

μέρους: 3266

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X60DQ120J
Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

μέρους: 3220

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3.1V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X101D120J
Microsemi Corporation

APT2X101D120J

μέρους: 1994

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 93A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.5V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X151DL60J
Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

μέρους: 2375

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 150A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT2X100D100J
Microsemi Corporation

APT2X100D100J

μέρους: 2278

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 95A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.5V @ 100A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

μέρους: 14745

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Στη λίστα επιθυμιών
ACDST-70-G
Comchip Technology

ACDST-70-G

μέρους: 114940

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών
ACDST-99-G
Comchip Technology

ACDST-99-G

μέρους: 123192

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Στη λίστα επιθυμιών