| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος διόδων | Silicon Carbide Schottky |
| Τάση - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) | 8A (DC) |
| Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν | 1.7V @ 8A |
| Ταχύτητα | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90µA @ 650V |
| Χωρητικότητα @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Τύπος στερέωσης | Through Hole |
| Πακέτο / θήκη | TO-220-2 |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-220-2L |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Διασταύρωση | 175°C (Max) |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
