| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Obsolete |
|---|---|
| Τύπος διόδων | Silicon Carbide Schottky |
| Τάση - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) | 8A (DC) |
| Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν | 1.6V @ 2.5A |
| Ταχύτητα | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Χωρητικότητα @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Τύπος στερέωσης | Through Hole |
| Πακέτο / θήκη | TO-257-3 |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-257 |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Διασταύρωση | -55°C ~ 250°C |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
