| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 700V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 6.8nC @ 400V |
| Vgs (Μέγ.) | ±16V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 211pF @ 400V |
| Δυνατότητα FET | - |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 30.5W (Tc) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Through Hole |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | PG-TO251-3 |
| Πακέτο / θήκη | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
