Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 700V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 16.4nC @ 400V |
Vgs (Μέγ.) | ±16V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 517pF @ 400V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 59.5W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | PG-TO251-3 |
Πακέτο / θήκη | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |