Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Δυνατότητα FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 60V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
Ισχύς - Μέγ | - |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | Die |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | Die |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |