| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Δυνατότητα FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 80V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 28A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Ισχύς - Μέγ | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | Die |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | Die |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
