Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

AR4PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/H

μέρους: 122766

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AS4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/86A

μέρους: 156118

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 962mV @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AR3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/H

μέρους: 166071

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AU3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/87A

μέρους: 193734

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/I

μέρους: 128845

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/86A

μέρους: 191634

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AU3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/I

μέρους: 127642

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/I

μέρους: 186811

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AU2PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/I

μέρους: 174404

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AU3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/87A

μέρους: 193813

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/86A

μέρους: 191604

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AS4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/H

μέρους: 128759

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AS3PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/I

μέρους: 186880

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AS3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/H

μέρους: 177930

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AR3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/87A

μέρους: 187656

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AU3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/86A

μέρους: 184541

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AR3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/87A

μέρους: 157035

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AR3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/I

μέρους: 174434

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/I

μέρους: 174405

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AU3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/87A

μέρους: 193760

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/I

μέρους: 128885

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/H

μέρους: 122728

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AS4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/H

μέρους: 128756

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AR3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/86A

μέρους: 164275

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/87A

μέρους: 159938

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AS3PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/86A

μέρους: 148577

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AR4PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/87A

μέρους: 197456

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/86A

μέρους: 171186

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/H

μέρους: 166083

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/87A

μέρους: 163453

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AS4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/86A

μέρους: 109249

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 962mV @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AR4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/I

μέρους: 140691

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AR3PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/H

μέρους: 166063

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/87A

μέρους: 143683

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/I

μέρους: 128914

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/H

μέρους: 166086

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών