Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

AS4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/86A

μέρους: 186584

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 962mV @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AR4PM-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/86A

μέρους: 187999

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AS4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/I

μέρους: 135245

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AS4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/87A

μέρους: 127822

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 962mV @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AR3PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/I

μέρους: 174356

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/H

μέρους: 177979

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AR3PJ-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/86A

μέρους: 109158

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AU3PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/86A

μέρους: 184562

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/H

μέρους: 177979

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AS3PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/I

μέρους: 186864

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AS4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/87A

μέρους: 148380

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 962mV @ 2A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AS4PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/H

μέρους: 128798

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AR4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/87A

μέρους: 155636

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/I

μέρους: 186827

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AU3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/H

μέρους: 121577

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJ-M3/87A

μέρους: 122155

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/87A

μέρους: 128015

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AU2PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/H

μέρους: 166052

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/87A

μέρους: 159290

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AU3PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/H

μέρους: 121580

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AR3PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/86A

μέρους: 165935

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/87A

μέρους: 182163

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/I

μέρους: 174379

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AS4PMHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/I

μέρους: 135168

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AU3PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/86A

μέρους: 184511

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/I

μέρους: 186833

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AR4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/I

μέρους: 128841

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AS4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3_A/I

μέρους: 135251

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.8µs,

Λίστα επιθυμιών
AU3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/H

μέρους: 121540

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.7A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών
AS3PM-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/86A

μέρους: 102068

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.1A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 920mV @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 1.2µs,

Λίστα επιθυμιών
AR4PK-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/86A

μέρους: 187986

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/H

μέρους: 122741

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 120ns,

Λίστα επιθυμιών
AR3PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/H

μέρους: 166073

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AR4PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/H

μέρους: 122789

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AR3PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/87A

μέρους: 142597

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.8A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 140ns,

Λίστα επιθυμιών
AU2PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/86A

μέρους: 147505

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.6A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 75ns,

Λίστα επιθυμιών