Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004-E3/53

μέρους: 160347

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4150W-E3-08

μέρους: 189321

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005-E3/54

μέρους: 189319

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4150W-HE3-08

μέρους: 111599

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5406-E3/54

μέρους: 183032

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N914TAP

μέρους: 134871

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 10mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148-P-TAP

μέρους: 175695

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 10mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 8ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062TR

μέρους: 113576

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 2.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001-E3/73

μέρους: 104760

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5821-E3/54

μέρους: 109436

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 500mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007-E3/73

μέρους: 125527

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GP-E3/54

μέρους: 121782

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001-E3/54

μέρους: 162281

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006-E3/54

μέρους: 168529

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007E-E3/54

μέρους: 132124

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004-E3/54

μέρους: 102842

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819-E3/54

μέρους: 175873

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007-E3/54

μέρους: 109785

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4148-TAP

μέρους: 151951

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 300mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 10mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 8ns,

Λίστα επιθυμιών

1N4007GPE-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-E3/53

μέρους: 100756

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

1N4005GPE-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GPE-E3/53

μέρους: 166864

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

1N4003GPE-E3/53

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003GPE-E3/53

μέρους: 104952

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GP-E3/53

μέρους: 126766

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GP-E3/53

μέρους: 196349

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 250ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482HE3/96

μέρους: 159900

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6484HE3/96

μέρους: 140677

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6480HE3/96

μέρους: 147864

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6478HE3/96

μέρους: 111745

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483HE3/96

μέρους: 135734

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479HE3/96

μέρους: 100461

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481HE3/96

μέρους: 150333

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6478HE3/97

μέρους: 115842

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482HE3/97

μέρους: 156691

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6479HE3/97

μέρους: 148964

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6481HE3/97

μέρους: 195545

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483HE3/97

μέρους: 120678

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

3600

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»