Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 100

1N6478-E3/96

μέρους: 156019

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GP-E3/54

μέρους: 108931

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-E3/54

μέρους: 113775

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005GP-E3/73

μέρους: 139136

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001GP-E3/73

μέρους: 168269

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007E-E3/53

μέρους: 151807

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5817-E3/73

μέρους: 143012

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6480-E3/96

μέρους: 147151

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6482-E3/96

μέρους: 162533

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N6483-E3/96

μέρους: 179529

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5822-E3/54

μέρους: 102981

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 525mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5624-TR

μέρους: 158953

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 7.5µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625-TAP

μέρους: 129540

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 7.5µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5408-E3/73

μέρους: 169345

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5402-E3/73

μέρους: 180343

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5404-E3/73

μέρους: 170168

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5400-E3/54

μέρους: 144551

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5819-E3/73

μέρους: 103666

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5406-E3/73

μέρους: 121205

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5401-E3/73

μέρους: 149135

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GP-E3/73

μέρους: 117728

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5407-E3/73

μέρους: 108901

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004GPE-E3/91

μέρους: 190964

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4007GPE-E3/91

μέρους: 126552

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625-TR

μέρους: 170965

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5626-TAP

μέρους: 142723

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 7.5µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5059TR

μέρους: 184446

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 2.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4150W-E3-18

μέρους: 131065

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GP-E3/54

μέρους: 142421

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006E-E3/54

μέρους: 129981

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395-E3/54

μέρους: 164738

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 1.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GP-E3/54

μέρους: 127308

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4935-E3/54

μέρους: 129076

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937-E3/54

μέρους: 104059

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937-E3/73

μέρους: 159056

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448WS-HE3-08

μέρους: 174024

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 720mV @ 5mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4ns,

Λίστα επιθυμιών