Τρανζίστο&

Σπίτι
Τρανζίστο&

SIS782DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS782DN-T1-GE3

μέρους: 9904

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

μέρους: 1464

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 190V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 950mA (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

SIDR626DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIDR626DP-T1-GE3

μέρους: 9959

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 42.8A (Ta), 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI3407DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3407DV-T1-GE3

μέρους: 142996

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFRC20TRRPBF

μέρους: 84916

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRLZ34PBF

μέρους: 42900

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

SIDR668DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIDR668DP-T1-GE3

μέρους: 9965

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 23.2A (Ta), 95A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SIHU6N80E-GE3

μέρους: 9998

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFR010PBF

μέρους: 112442

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE876DF-T1-GE3

μέρους: 1473

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 60A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SQ3419EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3419EEV-T1-GE3

μέρους: 1244

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SQS484EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS484EN-T1_GE3

μέρους: 191306

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SIA432DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA432DJ-T1-GE3

μέρους: 148604

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFZ34PBF

μέρους: 44152

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI2337DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2337DS-T1-GE3

μέρους: 163989

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SQ3442EV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SQ3442EV-T1-GE3

μέρους: 1221

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

SIHA25N60EFL-E3

Vishay Siliconix

SIHA25N60EFL-E3

μέρους: 14046

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 25A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 12.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7772DP-T1-GE3

μέρους: 194051

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 35.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SISA26DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA26DN-T1-GE3

μέρους: 9988

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 60A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI4410BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4410BDY-T1-E3

μέρους: 144634

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFU9120PBF

μέρους: 43383

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFR420TRLPBF

μέρους: 93110

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-E3

μέρους: 43974

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 150V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI8416DB-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI8416DB-T1-GE3

μέρους: 6167

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 8V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

SQ7415AEN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ7415AEN-T1_GE3

μέρους: 142943

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SQS420EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQS420EN-T1_GE3

μέρους: 191334

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

SI1406DH-T1-E3

μέρους: 1472

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRF9520PBF

μέρους: 72559

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI2319DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2319DS-T1-GE3

μέρους: 164425

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI7892BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7892BDP-T1-GE3

μέρους: 104599

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFR024TRLPBF

μέρους: 91025

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Siliconix

IRFR214TRLPBF

μέρους: 113500

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SIR698DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR698DP-T1-GE3

μέρους: 125808

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SI7464DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-GE3

μέρους: 80856

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SQ3418EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3418EV-T1_GE3

μέρους: 9903

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SIS456DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIS456DN-T1-GE3

μέρους: 164051

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 35A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

3600

«
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
»