Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | P-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 80V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | ±20V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 40V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | SOT-23-3 (TO-236) |
Πακέτο / θήκη | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |